Samsung julkisti FMS 2026 -tapahtumassa kolme uutta muisti- ja tallennusteknologiaa tekoälykeskuksille: zHBM, zNAND-O ja BV-NAND.
Samsung esitteli Future of Memory and Storage (FMS) 2026 -konferenssissa visionsa seuraavan sukupolven muisti- ja tallennusratkaisuista, jotka hyödyntävät edistynyttä kiekkoliitosta (wafer bonding). Uudet teknologiat – zHBM, zNAND-O ja BV-NAND – on suunniteltu vastaamaan tekoälysovellusten ja yleisten järjestelmien kasvaviin suorituskykyvaatimuksiin. Vaikka ratkaisut palvelevat eri käyttötarkoituksia, niiden yhteinen nimittäjä on komponenttien pinoaminen suoraan logiikkapiirien päälle kaistanleveyden maksimoimiseksi ja viiveiden pienentämiseksi.
zHBM on Samsungin konsepti räätälöidystä HBM-muistista, joka sijoitetaan suoraan tekoälykiihdyttimen logiikkapiirin päälle perinteisen reunusSijoittelun sijaan. Yhtiön mukaan arkkitehtuuri voi tarjota huomattavasti paremman suorituskyvyn, energiatehokkuuden ja kolminkertaisen energiatehokkuuden HBM5-standardiin verrattuna, vaikka tarkkoja aikatauluja ei vielä paljastettu. ZNAND-O puolestaan tuo NAND-muistipinot suoraan laskentayksikön päälle reunatekoälyjärjestelmien ja reaaliaikaisten päättelykuormien tarpeisiin.
BV-NAND on uusi brändinimi Samsungin kymmenenennen sukupolven 3D NAND -teknologialle, joka liittää NAND-muistimatriisin I/O- ja logiikkakiekon yläpuolelle. Tämä 400 kerroksen luokan V-NAND tarjoaa 28 Gb/mm² tiheyden ja jopa 5600 MT/s I/O-nopeuden, mikä ylittää monien kilpailijoiden vastaavat nopeudet. Uusi BV-NAND-brändi auttaa erottamaan tuotteet markkinoilla, vaikka huippuluokan asemien suorituskykyä saattaakin rajoittaa PCIe 5.0 x4 -liitäntä.
Vaikka BV-NAND on tulossa markkinoille lähitulevaisuudessa, zHBM- ja zNAND-O-kaltaiset teknologiat ovat vielä vuosien päässä varsinaisesta kaupallisesta saatavuudesta. Samsungin uusi strategia pyjohtaa vastaisuudessa datakeskusten ja reunaverkon suorituskykyhaasteisiin, joissa nykyaikaisten PCIe-SSD-levyjen viiveet ja kaistanleveys eivät enää riitä. IT-ammattilaisten on seurattava kehitystä erityisesti yritystason tekoälyinfrastruktuurin suunnittelussa.
Tärkeimmät pointit
- zHBM: HBM-muistipinot sijoitettu suoraan tekoälykiihdyttimen logiikkapiirin päälle
- zNAND-O: Neljä tai kahdeksan NAND-pinoa logiikkapiirin päällä reunaverkon tekoälyyn
- BV-NAND: Samsungin 10. sukupolven 3D NAND (4xx kerrosta), I/O-nopeus jopa 5600 MT/s
- Areal density (BV-NAND): 28 Gb/mm² die capacitylla 1 Tb
- Kaikki kolme teknologiaa perustuvat edistyneeseen kiekkoliitokseen (wafer bonding)
Linkit ja lähteet
- Tom's Hardware Premium
- SK hynix ja sen kumppanit harkitsivat HBM4-pinojen pinoamista suoraan logiikkaprosessorien päälle
- HBM5
- V-NAND-alusta
- 3D NAND
Lähde: Tomshardware — alkuperäinen artikkeli julkaistu 6.8.2026
